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三星电子宣布量产第五代V-NAND闪存


来源:凤凰网中韩交流

三星电子作为全球最大的NAND供应商,于7月10日公开发布了全球首款“256Gb(千兆)第五代V-NAND”闪存。

三星电子宣布量产第五代V-NAND闪存

三星电子作为全球最大的NAND供应商,于7月10日公开发布了全球首款“256Gb(千兆)第五代V-NAND”闪存。此次,三星电子开发的第五代V-NAND再创纪录,3D电荷陷阱cell采用了世界最高水准的90层堆栈技术,以及首次使用Toggle DDR 4.0规格,五代V-NAND每秒数据传输速度相比四代V-NAND快了1.4倍。

三星电子表示为了提高第五代V-NAND的性能和增强生产效率,研发过程中采用了独创的“三大革新技术”。此技术包含超高速和低电压的电路设计技术,最短读写时间电路设计技术,钨原子层薄膜工程技术。

投入使用这些技术,能够实现保持与第四代同等功耗的同时优化五代V-NAND的性能,而且还可以大幅缩短读取时间。特别是在压缩了20%储存单元cell之后,提高了近30%的生产率,减少了储存单元之间的干扰现象从而加强了产品的可靠性。 

三星电子存储器事业部开发室长景桂铉(音译)表示:“储存器市场需求增长迅速,三星快人一步推出了第五代V-NAND闪存,拉大了与竞争对手的技术差距。三星今后将扩大生产V-NAND,每核心1Tb和QLC(Quad Level Cell)的产品,进一步加速存储器市场的发展。”

随着第五代V-NAND的需求不断扩大,三星电子计划增加V-NAND的生产比重,从超级计算机、企业服务器到移动通信市场,持续主导“高容量”闪存的发展趋势。 (柳炅杓)

[责任编辑:黄盼盼]

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