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SK海力士成功研发96层4D Nand闪存


来源:韩国中央日报

SK海力士成功开发出了层数最多的96层4D(四维)Nand闪存半导体。11月4日,SK海力士公司宣布,“公司将主要应用于3D闪存的CTF结构与PUC技术结合起来,在上月领先全球率先研发出96层512Gbit的4D Nand闪存半导体,计划在今年年内进行第一批量产”。

SK海力士研发出的96层512 Gbit 4D Nand闪存与解决方案型产品。[照片由SK海力士提供]

原标题:SK海力士成功研发96层4D Nand闪存

SK海力士成功开发出了层数最多的96层4D(四维)Nand闪存半导体。11月4日,SK海力士公司宣布,“公司将主要应用于3D闪存的CTF结构与PUC技术结合起来,在上月领先全球率先研发出96层512Gbit的4D Nand闪存半导体,计划在今年年内进行第一批量产”。96层Nand闪存由世界排名第一的三星电子和排名第二的东芝半导体在今年下半年首次投入批量生产,是目前性能最强的Nand闪存半导体。

SK海力士在去年4月研发出72层3D Nand闪存之后,用了短短1年半就攻克了96层半导体技术,这种半导体体积比现在的72层512Gbit 3D Nand闪存缩小了30%以上,可以搭载到智能手机移动零部件之中,每张面板可以生产的记忆容量(bit)提升1.5倍,可同时处理的数据量更是提升一倍至业界最高水平的64KB,一个新的芯片产品可以取代2个原来的256Gbit 3D Nand闪存。SK海力士强调,“新芯片的读写能力分别比现在的72层产品提高了30%和25%”。

SK海力士之所以自称“全球首次”,是因为该公司不同于其他半导体公司采用的2D Nand浮栅型闪存单元技术,而是将3D Nand使用的电荷撷取闪存(CTF,Charge Trap Flash)结构与外围电路(PUC,Peri Under Cell)构造结合起来开发出了新的技术。PUC技术将用来驱动晶胞的周边电路堆叠在储存数据的晶胞阵列下方,相当于将公寓楼(Nand闪存)所需要的停车场从公寓旁边改建到了地下空间,以此方式提高空间使用效率。

SK海力士计划在上月于忠北清州市正式建成并启动的M15工厂批量生产新开发的96层4D Nand闪存半导体。

SK海力士能否凭借新产品在竞争力相对弱势的Nand闪存市场站稳脚跟并争取Nand闪存市场的主导权,倍加受人关注。SK海力士在全球D-RAM市场仅次于三星电子排名第二,但在Nand闪存市场却以大约10%的份额之差排在三星电子、东芝、西部数据之后,排名第四。在去年SK海力士的销售额中,Nand闪存所占比重保持在22%左右,而在今年上半年,这一比例下降到了18%。

此外,随着半导体存储器的供应增加和需求停滞,Nand闪存半导体的价格在今年下降了9%以上,进一步助推了“半导体危机论调”。SK海力士计划通过扩大新产品的供应打破这样的危机论调。

SK海力士首先计划在年内推出搭载4D Nand闪存的1TB容量固态硬盘(SSD)。固态硬盘是一种利用Nand闪存半导体储存信息的新一代大容量储存设备。

SK海力士公司常务金正泰(音,负责Nand市场营销)表示,“给予CTF技术的96层4D Nand闪存拥有业界最顶级的性能和成本优势”,“我们还正利用相同技术研发新一代128层4D Nand闪存”。

[责任编辑:时甜娜]

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